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2012-06-30 22:26
LV.3 2.1w
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栅极线路很短(大约2cm）时单芯片的栅极驱动波形：
栅极线路很短(大约2cm）时双芯片并联的栅极驱动波形：
可以看出这两个波形相差不大。
栅极线路较长(大约20cm）时单芯片的栅极驱动波形：
栅极线路较长(大约20cm）时双芯片并联的栅极驱动波形：
可以看出尖峰一个是17.2V,一个是18.6V,相差1.4V之多。
另外，采用双芯片直接并联的话，还会由于一致性的问题导致不均流和故障率增高。
单芯片MOSFET和双芯片并联MOSFET的区分办法：
在一般工厂和业余条件下要从芯片结构区分单芯片MOSFET和双芯片并联MOSFET还是比较困难的，但是也有一个非常简单又暴力的办法可以区分，就是砸开MOSFET,由于栅极电流很小，所以单芯片只要一根很细（约5mil）的引线就可以把芯片的栅极引到封装的栅极管脚。而双芯片内部是由2个芯片并联，自然就有2个栅极，而2个栅极之间是相互绝缘的，没有任何电气连接，所以只有每个栅极都用一条引线连接到封装的栅极管脚。
所以只看栅极有几条引线就可以区分单芯片和双芯片并联MOSFET!
同是电子工程师，请一定不要吝啬你的赞！
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LV.12012-06-30 22:34
这颗单芯片200A电流等级的系列MOFET，电压等级有标称电压有40V,60V,70V,80V,100V,120V。首先下线的有DX200N07和DX190N08这两颗，首批TO-220封装，芯片面积4mm*5mm（单芯片整体设计芯片面积利用率比较高）。需要的请大家回个贴并发详细联系方式到本人站内短信，每人可以领取1-10颗，2个型号可以任意自选，每种500颗，送完为止，先要先得，快递费自理，实在偏远的，快递无法到达的请见谅！
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LV.12012-06-30 22:41
这颗单芯片200A电流等级的系列MOFET，电压等级有标称电压有40V,60V,70V,80V,100V,120V。首先下线的有DX200N07和DX190N08这两颗，首批TO-220封装，芯片面积4mm*5mm（单芯片整体设计芯片面积利用率比较高）。需要的请大家回个贴并发详细联系方式到本人站内短信，每人可以领取1-10颗，2个型号可以任意自选，每种500颗，送完为止，先要先得，快递费自理，实在偏远的，快递无法到达的请见谅！
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LV.12012-06-30 22:46
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LV.12012-06-30 22:50
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LV.12012-06-30 22:52
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LV.12012-06-30 22:55
这颗单芯片200A电流等级的系列MOFET，电压等级有标称电压有40V,60V,70V,80V,100V,120V。首先下线的有DX200N07和DX190N08这两颗，首批TO-220封装，芯片面积4mm*5mm（单芯片整体设计芯片面积利用率比较高）。需要的请大家回个贴并发详细联系方式到本人站内短信，每人可以领取1-10颗，2个型号可以任意自选，每种500颗，送完为止，先要先得，快递费自理，实在偏远的，快递无法到达的请见谅！
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好东西 不知道我能不 能申请 都申请5对我也申请5对DX190N08
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LV.12012-06-30 22:58
DX200N07，实际电压75+-1V,典型内阻3.5-3.6MR,
DX190N08，实际电压94+-1V（余量比较大哦）,典型内阻3.9-4.0MR,
主要用于逆变，大功率电动车或太阳能控制器，锂电池保护板。
120V（实际140V)的管子正在测试中，内阻10MR,主要为大功率电动车控制器，小功率(15kw以下)电动汽车设计的！
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LV.12012-06-30 23:04
好东西 不知道我能不 能申请 都申请5对我也申请5对DX190N08
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LV.12012-06-30 23:17
DX200N07，实际电压75+-1V,典型内阻3.5-3.6MR,
DX190N08，实际电压94+-1V（余量比较大哦）,典型内阻3.9-4.0MR,
主要用于逆变，大功率电动车或太阳能控制器，锂电池保护板。
120V（实际140V)的管子正在测试中，内阻10MR,主要为大功率电动车控制器，小功率(15kw以下)电动汽车设计的！
这颗单芯片的MOSFET,不像很多厂家一样牺牲其他性能追求低内阻，而是追求一种各项性能的平衡，适当地加强了雪崩耐量：
下面是DX200N07的雪崩测试数据：
可以看出雪崩耐量在1J以上！
下面是DX190N08的雪崩测试数据：
可以看出雪崩耐量也在1J以上！
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LV.12012-06-30 23:28
这颗单芯片的MOSFET,不像很多厂家一样牺牲其他性能追求低内阻，而是追求一种各项性能的平衡，适当地加强了雪崩耐量：
下面是DX200N07的雪崩测试数据：
可以看出雪崩耐量在1J以上！
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可以看出雪崩耐量也在1J以上！
支持国产管子！也来申请几只！
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